تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون. صواب خطأ؟
مرحبا بكم طلابنا الراغبين في الحصول على الإجابة الصحيحة للسؤال التالي: تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون. صواب خطأ بيت العلم، نتشرف أعزاءنا الزوار طلاب وطالبات جميع المستويات الدراسية بزيارتكم وثقتكم بنا وأختياركم لمنصتنا التعليميّة المتميزة التي تظم نخبة من المعلمين الأكفاء، لنطرح بين أيديكم حل سؤال:
تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون. صواب خطأ
كما يقدم موقع ”مناهل العـلـم“ حلول الواجبات المدرسية اليومية والاختبارات الدراسية مواكباً لكم خطوة بخطوة، ونقدم لكم اليوم حلاً نموذجياً للسؤال التالي:
تعتمد القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون على كل من شدة المجال المغناطيسي وبعد الإلكترون. صواب خطأ ؟
الحل الصحيح هو:
خطأ، الجملة خاطئة.
القوة المغناطيسية الناتجة عن المجال المغناطيسي المؤثرة في الإلكترون تعتمد فقط على شدة المجال المغناطيسي وليس على بعد الإلكترون. هذا يعني أنه بغض النظر عن موقع الإلكترون بالنسبة للمجال المغناطيسي، فإن القوة المغناطيسية التي يتحملها يعتمد فقط على قوة المجال المغناطيسي الذي يتأثر به.
